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产品简介:
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Nexperia USA Inc. 生产的 PHD97NQ03LT,118 是一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体为 N 沟道增强型 MOSFET。该器件广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效开关和低功耗的应用场景中表现出色。 应用场景: 1. 电源管理: - DC-DC 转换器:PHD97NQ03LT,118 可用于设计高效的降压或升压 DC-DC 转换器,其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高转换效率。 - 线性稳压器:在低压差线性稳压器 (LDO) 中,该 MOSFET 可作为开关元件,实现快速响应和稳定的电压输出。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机 (BLDC):该 MOSFET 适用于驱动 BLDC 电机的逆变器电路,提供高电流承载能力和快速开关特性,确保电机运行平稳且高效。 - 步进电机控制:在步进电机驱动电路中,MOSFET 的低导通电阻可以降低发热,延长电机寿命。 3. 负载切换: - 电池管理系统 (BMS):在电池管理系统中,PHD97NQ03LT,118 可用于电池充放电路径的开关控制,确保安全可靠的电源管理。 - 智能插座和开关:在智能家居设备中,该 MOSFET 可用于控制电器的电源通断,实现远程控制和自动化功能。 4. 信号处理与保护: - 过流保护电路:利用 MOSFET 的快速响应特性,可以在检测到过流时迅速切断电路,保护下游设备免受损坏。 - ESD 保护:在一些敏感电路中,该 MOSFET 可以作为保护元件,防止静电放电对系统造成损害。 5. 消费电子产品: - 便携式设备:如智能手机、平板电脑等,该 MOSFET 可用于电源管理和外围接口的控制,确保设备的高效能和长续航。 - 音频放大器:在音频设备中,MOSFET 可用于功率放大器的开关部分,提供干净、无失真的音频输出。 总之,PHD97NQ03LT,118 凭借其优异的电气性能和可靠性,在多种电力电子应用中展现出卓越的表现,特别适合需要高效、低功耗和高可靠性的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH TRENCH 25V DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PHD97NQ03LT,118 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.7nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.3 毫欧 @ 25A,10V |
供应商器件封装 | DPAK |
其它名称 | 934061139118 |
功率-最大值 | 107W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |