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Datasheet下载- 型号： PHB45NQ10T,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB45NQ10T,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB45NQ10T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB45NQ10T,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 150W（Tc） D2PAK。您可以下载PHB45NQ10T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB45NQ10T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的PHB45NQ10T,118是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型的产品。以下是该型号的应用场景分析： 1. 电源管理 - PHB45NQ10T,118是一种N沟道MOSFET，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）等电源管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高效率。 - 可用于笔记本电脑、台式机和其他电子设备的电源适配器。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，实现电机的启动、停止和速度控制。 - 其耐压能力（Vds = 100V）使其适合低至中等电压范围的电机应用。 3. 负载开关 - 在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，PHB45NQ10T,118可用作负载开关，控制不同模块的供电状态，以降低功耗并优化电池寿命。 4. 保护电路 - 该MOSFET可应用于过流保护、短路保护和反向电压保护电路中。例如，在USB充电接口中防止异常电流对设备造成损害。 - 其快速开关特性和低栅极电荷（Qg）使其非常适合需要快速响应的保护场景。 5. 信号切换 - 在音频设备或多路复用器中，PHB45NQ10T,118可以用作信号切换元件，实现不同信号源之间的切换。 6. 汽车电子 - 虽然该型号主要用于消费类电子产品，但在某些低功率汽车应用中（如车内照明、传感器控制等），它也可以作为开关元件使用。 总结 PHB45NQ10T,118凭借其高可靠性、低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。具体应用场景取决于设计需求和系统架构，但其核心功能始终围绕高效开关和功率管理展开。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 47A D2PAKMOSFET TRENCH-100 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHB45NQ10T,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHB45NQ10T,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 230 W |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 185 ns |
| 下降时间 | 226 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 61nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5943-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 424 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | SOT-404-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 47A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 PHB45NQ10T |
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