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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 5VWM 12VC 3DFNTVS二极管阵列 ESD Protection Diode Very Low Capacitance |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,NXP Semiconductors PESD5V0U2BMB,315- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | PESD5V0U2BMB,315 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
不同频率时的电容 | 2.9pF @ 1MHz |
产品种类 | TVS二极管阵列 |
供应商器件封装 | 3-DFN1006B(0.6x1) |
其它名称 | 568-10745-6 |
击穿电压 | 6.5 V |
功率-峰值脉冲 | - |
包装 | Digi-Reel® |
单向通道 | - |
双向通道 | 2 |
商标 | NXP Semiconductors |
外壳高度 | 0.37 mm |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
封装/箱体 | DFN1006B-3 |
尺寸 | 0.6 mm W x 1 mm L x 0.37 mm H |
峰值浪涌电流 | 1.5 A |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TA) |
工厂包装数量 | 10000 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
极性 | Bidirectional |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 5.5V |
电压-反向关态(典型值) | 5V(最小值) |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 12V |
电容 | 2.9 pF |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1.5A (8/20µs) |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 齐纳 |
通道 | 2 Channels |
钳位电压 | 12 V |