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产品简介:
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PESD5V0L1UA,115 是一款由 NXP Semiconductors 生产的双向 TVS(瞬态电压抑制)二极管,具有低电容特性。它主要用于保护电子设备中的敏感电路免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态过电压事件的损害。 应用场景: 1. 消费电子: - 智能手机和平板电脑:这些设备内部有大量的高速信号线和接口,容易受到外界静电或瞬态电压的影响。PESD5V0L1UA,115 可以保护 USB、HDMI、耳机插孔等接口,确保数据传输的稳定性和设备的安全性。 - 笔记本电脑:用于保护外部连接端口,如 USB-C、Thunderbolt 等,防止因插拔过程中产生的静电或瞬态电压对内部电路造成损坏。 2. 工业自动化: - 传感器和控制器:在工业环境中,传感器和控制器经常暴露在复杂的电磁环境中,容易受到瞬态电压的干扰。该器件可以保护信号传输线路,确保工业设备的可靠运行。 - 通信模块:用于保护 RS-485、CAN 总线等通信接口,防止由于雷击或电源波动引起的过电压对通信链路的影响。 3. 汽车电子: - 车载信息娱乐系统:车辆内部的多媒体系统、导航设备等需要通过各种接口与外部设备连接,PESD5V0L1UA,115 可以保护这些接口免受外界环境的影响,确保系统的稳定性和安全性。 - ADAS(高级驾驶辅助系统):随着自动驾驶技术的发展,ADAS 系统中的摄像头、雷达等传感器对外部环境非常敏感,使用该器件可以有效防止瞬态电压对传感器性能的影响。 4. 物联网(IoT)设备: - 智能家居设备:如智能门锁、智能灯泡等,通常通过 Wi-Fi 或蓝牙与其他设备通信。PESD5V0L1UA,115 可以保护这些无线通信模块,确保设备在复杂电磁环境下正常工作。 - 可穿戴设备:如智能手表、健身追踪器等,这些设备通常体积小且集成度高,PESD5V0L1UA,115 的低电容特性使其非常适合用于保护这些设备的微小接口和天线。 总之,PESD5V0L1UA,115 凭借其出色的瞬态电压抑制能力和低电容特性,广泛应用于各种需要高可靠性和抗干扰能力的电子设备中,确保信号传输的稳定性和设备的安全性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 5VWM 12VC SOD323TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ESD PROTECTION DIODE D5V0S1UJ/SOD |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PESD5V0L1UA,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PESD5V0L1UA,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同频率时的电容 | 25pF @ 1MHz |
产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
供应商器件封装 | SOD-323 |
其它名称 | 568-6822-1 |
击穿电压 | 6.8 V |
功率-峰值脉冲 | 42W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单向通道 | 1 |
双向通道 | - |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
封装/箱体 | SC-76 |
尺寸 | 1.35(Max) mm W x 1.8 mm L |
峰值浪涌电流 | 3.5 A |
峰值脉冲功率耗散 | 42 W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工作电压 | 5 V |
工厂包装数量 | 3000 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 6.4V |
电压-反向关态(典型值) | 5V(最小值) |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 12V |
电容 | 25 pF |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 3.5A (8/20µs) |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 齐纳 |
系列 | PESD5V0L1UA |
钳位电压 | 12 V |