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PESD3V3L4UW,115产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TVS DIODE 3.3VWM 12VC SOT665TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD |
产品分类 | |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,NXP Semiconductors PESD3V3L4UW,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PESD3V3L4UW,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同频率时的电容 | 22pF @ 1MHz |
产品种类 | TVS二极管阵列 |
供应商器件封装 | SOT-665 |
其它名称 | 568-7339-2 |
击穿电压 | 5.32 V |
功率-峰值脉冲 | 30W |
包装 | 带卷 (TR) |
单向通道 | 4 |
双向通道 | - |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-665 |
封装/箱体 | SOT-665 |
尺寸 | 1.3(Max) mm W x 1.7(Max) mm L |
峰值浪涌电流 | 3 A |
峰值脉冲功率耗散 | 30 W |
工作温度 | -65°C ~ 150°C (TA) |
工作电压 | 3.3 V |
工厂包装数量 | 4000 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 4,000 |
电压-击穿(最小值) | 5.32V |
电压-反向关态(典型值) | 3.3V (最小值) |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 12V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 3A (8/20µs) |
电源线路保护 | 无 |
类型 | 齐纳 |
钳位电压 | 12 V |
零件号别名 | PESD3V3L4UW T/R |