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  • 型号: PESD3V3L4UW,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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PESD3V3L4UW,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PESD3V3L4UW,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PESD3V3L4UW,115价格参考。NXP SemiconductorsPESD3V3L4UW,115封装/规格:TVS - 二极管, 12V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SOT-665。您可以下载PESD3V3L4UW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PESD3V3L4UW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 3.3VWM 12VC SOT665TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD

产品分类

TVS - 二极管

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,NXP Semiconductors PESD3V3L4UW,115-

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产品型号

PESD3V3L4UW,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同频率时的电容

22pF @ 1MHz

产品种类

TVS二极管阵列

供应商器件封装

SOT-665

其它名称

568-7339-2
934057791115
PESD3V3L4UW T/R
PESD3V3L4UW T/R-ND
PESD3V3L4UW,115-ND
PESD3V3L4UW115

击穿电压

5.32 V

功率-峰值脉冲

30W

包装

带卷 (TR)

单向通道

4

双向通道

-

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

封装

Reel

封装/外壳

SOT-665

封装/箱体

SOT-665

尺寸

1.3(Max) mm W x 1.7(Max) mm L

峰值浪涌电流

3 A

峰值脉冲功率耗散

30 W

工作温度

-65°C ~ 150°C (TA)

工作电压

3.3 V

工厂包装数量

4000

应用

通用

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

极性

Unidirectional

标准包装

4,000

电压-击穿(最小值)

5.32V

电压-反向关态(典型值)

3.3V (最小值)

电压-箝位(最大值)@Ipp

12V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

3A (8/20µs)

电源线路保护

类型

齐纳

钳位电压

12 V

零件号别名

PESD3V3L4UW T/R

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