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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 12VWM 35VC SOT663TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,NXP Semiconductors PESD12VS2UQ,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PESD12VS2UQ,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同频率时的电容 | 38pF @ 1MHz |
产品种类 | TVS - Other Composition |
供应商器件封装 | SOT-663 |
其它名称 | 568-6461-1 |
击穿电压 | 15 V |
功率-峰值脉冲 | 150W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单向通道 | 2 |
双向通道 | - |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-663 |
封装/箱体 | SOT-663 |
尺寸 | 1 mm W x 1.7 mm L x 0.6 mm H |
峰值浪涌电流 | 5 A |
峰值脉冲功率耗散 | 150 W |
工作温度 | -65°C ~ 150°C (TA) |
工作电压 | 12 V |
工厂包装数量 | 4000 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 105 C |
最小工作温度 | - 65 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 14.7V |
电压-反向关态(典型值) | 12V (最小值) |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 35V |
电容 | 38 pF |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 5A (8/20µs) |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 齐纳 |
系列 | PESDxS2UQ |
通道 | 2 Channels |
钳位电压 | 35 V |
零件号别名 | PESD12VS2UQ T/R |