ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PEMH20,115
Datasheet下载- 型号： PEMH20,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH20,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH20,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH20,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMH20,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH20,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PEMH20,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置产品，其应用场景主要包括以下方面： 1. 信号放大：PEMH20,115 的预偏置特性使其非常适合用于信号放大电路中。它能够稳定地提供增益，适用于音频设备、传感器信号处理等需要精确放大的场景。 2. 开关应用：该型号的 BJT 阵列可以作为高效的开关元件，用于控制负载（如 LED、小型电机或继电器）。其预偏置设计简化了驱动电路的设计，提高了系统的可靠性和响应速度。 3. 电源管理：在低功耗系统中，PEMH20,115 可用于电压调节器、电流限制电路或电池保护电路中。它的高集成度和预偏置功能有助于优化电源效率并减少外部元件数量。 4. 接口电路：该器件适用于各种接口电路，例如 RS-232、USB 或其他通信协议中的电平转换或信号调理。它可以确保信号完整性并增强抗干扰能力。 5. 消费电子与家电：PEMH20,115 广泛应用于消费电子产品（如遥控器、玩具）和家用电器（如风扇、抽油烟机）中，用于控制功能和信号处理。 6. 工业自动化：在工业领域，该型号可用于传感器信号采集、执行器控制以及数据传输中的信号调理，满足高可靠性和稳定性要求。 7. 汽车电子：尽管 PEMH20,115 主要针对消费级市场，但在某些非关键车载应用中（如车内照明、娱乐系统），它也能发挥重要作用。 总之，PEMH20,115 凭借其预偏置特性和紧凑的阵列结构，适合多种需要高性能、低成本解决方案的应用场景，尤其在信号放大、开关控制和电源管理方面表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMH20,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMH20,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058934115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMH20 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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