ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PEMH13,115
Datasheet下载- 型号： PEMH13,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH13,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH13,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH13,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMH13,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH13,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PEMH13,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品。这款器件主要用于需要高效、可靠且紧凑的开关和信号放大的应用场景中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 PEMH13,115 可用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够提供稳定的电流输出，并且由于其预偏置特性，可以简化电路设计，减少外部元件的数量，从而降低成本和复杂度。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，PEMH13,115 可以作为功率放大器或开关元件使用。它可以有效地控制电机的启动、停止和速度调节，特别适用于需要高精度控制的小型直流电机或步进电机。 3. 信号放大与处理 该器件适合用于音频放大器、传感器信号调理等场合。其低噪声特性和高增益使得它能够在信号处理过程中保持信号的完整性，同时提高系统的响应速度和稳定性。 4. 消费电子 在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能家居设备等，PEMH13,115 可以用于背光驱动、电池管理、按键检测等功能模块。其小尺寸封装和低功耗特性非常适合便携式设备的设计要求。 5. 工业自动化 在工业控制系统中，PEMH13,115 可以用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等设备中的信号传输和功率控制。它的高可靠性和宽工作温度范围使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。 6. 汽车电子 在汽车电子领域，PEMH13,115 可以应用于车灯控制、座椅调节、空调系统等场景。它符合AEC-Q101标准，确保了在汽车环境下的长期可靠性。 总之，PEMH13,115 凭借其高性能、高可靠性和灵活性，广泛适用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效功率管理和信号处理的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMH13,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMH13,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-11267-6 |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMH13 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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