ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PEMH13,115
Datasheet下载- 型号： PEMH13,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH13,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH13,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH13,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMH13,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH13,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMH13,115 是一种电子元器件，具体来说是一种磁性元件，通常应用于电源管理和电磁兼容性（EMC）领域。以下是其主要应用场景的详细说明： 1. 电源滤波与抗干扰 PEMH13,115 常用于电源滤波器中，能够有效抑制电源线上的电磁干扰（EMI），确保电源系统的稳定性和可靠性。它可以通过抑制共模和差模噪声，减少外部电磁干扰对电路的影响，特别适用于开关电源、逆变器等高频电源设备。 2. 电磁兼容性（EMC）设计 在电子设备的设计中，EMC 是一个重要的考量因素。PEMH13,115 可以帮助设备满足国际或国家标准中的电磁兼容性要求。通过在输入输出端口安装该元件，可以有效地降低设备对外界的电磁辐射，并防止外界电磁干扰影响设备的正常工作。 3. 汽车电子系统 在汽车电子领域，PEMH13,115 被广泛应用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）、电机驱动器等关键部件中。由于汽车环境复杂且电磁干扰源较多，该元件能够确保这些系统的稳定运行，避免因电磁干扰导致的安全隐患。 4. 工业自动化设备 在工业自动化控制系统中，PEMH13,115 可以用于保护敏感的控制电路免受电磁干扰的影响。例如，在可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等设备中，它可以确保信号传输的准确性和稳定性，从而提高整个系统的可靠性和效率。 5. 通信设备 对于通信设备，如基站、路由器、交换机等，PEMH13,115 可以帮助过滤掉高频噪声，保证数据传输的完整性。它还可以防止外部电磁干扰对通信链路的影响，确保通信质量。 6. 消费类电子产品 在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，PEMH13,115 可以用于电源管理模块，确保设备在充电或使用过程中不会受到外界电磁干扰的影响，同时也能减少设备本身的电磁辐射，提升用户体验。 总之，PEMH13,115 在各种需要高可靠性和低电磁干扰的场景中都有广泛的应用，特别是在电源管理和电磁兼容性方面表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMH13,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMH13,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-11267-6 |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMH13 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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