ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PEMH11,315
Datasheet下载- 型号： PEMH11,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH11,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH11,315价格参考。NXP SemiconductorsPEMH11,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMH11,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH11,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PEMH11,315 的双极晶体管（BJT）阵列 - 预偏置，是一种高性能、高可靠性的半导体器件。该型号的应用场景主要包括以下方面： 1. 信号放大与处理 - PEMH11,315 可用于音频、射频（RF）和中频（IF）信号的放大。其预偏置特性使其在需要稳定增益和低失真的应用中表现出色。 - 应用实例：耳机放大器、麦克风前置放大器、无线通信设备中的信号增强。 2. 开关电路 - 由于其快速开关特性和低饱和电压，PEMH11,315 可用于设计高效的开关电路，例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制。 - 应用实例：消费电子设备中的负载切换、工业自动化中的传感器接口。 3. 电源管理 - 在直流-直流转换器或线性稳压器中，PEMH11,315 可作为功率级元件，提供稳定的电流输出。 - 应用实例：便携式设备的电池充电管理、低功耗系统中的电压调节。 4. 通信设备 - 该型号适用于需要高频性能的通信领域，例如蜂窝基站、卫星通信和无线数据传输设备。 - 应用实例：射频功率放大器、调制解调器中的信号调理电路。 5. 汽车电子 - 在汽车行业中，PEMH11,315 可用于车灯控制、雨刷电机驱动、座椅加热器等应用场景，满足汽车电子对高温、高可靠性要求。 - 应用实例：车载娱乐系统、发动机控制单元（ECU）辅助电路。 6. 测试与测量设备 - 由于其精确的预偏置特性和稳定性，该晶体管可用于精密仪器的设计，如示波器、信号发生器和频谱分析仪。 - 应用实例：信号源驱动、校准电路。 总结 PEMH11,315 的预偏置设计简化了电路设计流程，同时提供了出色的电气性能。它广泛应用于消费电子、通信、工业控制、汽车电子和测试测量等领域，能够满足多样化的需求。选择此型号时，需根据具体应用场景评估其电气参数（如电流、电压和频率范围）是否符合要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 50V 200mW NPN/PNP resistor-equip trans |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMH11,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMH11,315 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056861315 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SS-Mini-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN/NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |
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