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PEMH10,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH10,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH10,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH10,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMH10,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMH10,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMH10,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PEMH10,115 |
PCN封装 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-666 |
其它名称 | 568-11265-1 |
典型电阻器比率 | 0.047 |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-666-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
零件号别名 | PEMH10 T/R |
频率-跃迁 | - |