ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PEMH1,115
Datasheet下载- 型号： PEMH1,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH1,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH1,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH1,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMH1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为PEMH1,115的双极晶体管（BJT）阵列 - 预偏置，主要用于以下应用场景： 1. 信号放大：该器件适用于音频、视频和其他低功率信号的放大。预偏置设计简化了电路设计，使放大器能够更稳定地运行。 2. 开关应用：PEMH1,115可用于各种开关电路中，例如继电器驱动、LED驱动和小型电机控制等。其预偏置特性有助于实现快速且可靠的开关操作。 3. 电源管理：在一些低功耗设备中，该晶体管阵列可以用于电压调节或电流限制功能，确保系统在安全范围内工作。 4. 传感器接口：在工业自动化和消费电子领域，此器件常被用来处理来自传感器的小信号，并将其转换为适合后续处理的电平。 5. 通信设备：在无线通信模块中，这类晶体管可用于射频（RF）信号的调制与解调过程中的增益控制部分。 6. 汽车电子：由于其可靠性和稳定性，PEMH1,115也适用于汽车内部的一些辅助系统，如车内照明控制、座椅调节等非核心但重要的功能模块。 总之，PEMH1,115凭借其高集成度和预设参数优势，在需要多路独立控制的小型化设计场合下表现优异，广泛应用于消费类电子产品、工业控制以及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMH1,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056862115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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