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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDZ8.2B,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDZ8.2B,115价格参考。NXP SemiconductorsPDZ8.2B,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 8.2V 400mW ±2% Surface Mount SOD-323。您可以下载PDZ8.2B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDZ8.2B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PDZ8.2B,115 是一款单齐纳二极管,具有多种应用场景。齐纳二极管的主要特点是其在反向击穿区域能够稳定电压,因此广泛应用于需要精确电压参考和稳压的电路中。 1. 电源稳压 PDZ8.2B,115 可以用于简单的线性稳压电路中,提供稳定的输出电压。它能够在输入电压波动的情况下,保持输出电压的稳定,适用于小型电子设备、传感器模块等对电压要求较高的场合。 2. 电压参考 该型号的齐纳二极管可以用作电压参考源,尤其是在需要高精度电压参考的应用中。例如,在模拟电路中,齐纳二极管可以为运算放大器、比较器等提供稳定的基准电压,确保电路的正常工作。 3. 过压保护 PDZ8.2B,115 还可以用于过压保护电路。当输入电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并分流多余的电流,从而保护后续电路免受过高电压的损害。这种应用常见于电源输入端、信号传输线路等易受电压波动影响的地方。 4. 信号箝位 在信号处理电路中,PDZ8.2B,115 可以用于信号箝位,限制信号的幅度。通过将信号电压限制在一个安全范围内,防止信号超出电路的承受能力,避免损坏敏感元件。 5. 温度补偿 某些情况下,齐纳二极管还可以与其他元件(如热敏电阻)结合使用,进行温度补偿。PDZ8.2B,115 的温度系数特性使其适合用于需要温度补偿的精密电路中,确保在不同温度环境下电压的稳定性。 6. 电池充电管理 在电池充电管理系统中,PDZ8.2B,115 可以用于监控电池电压,确保充电过程中的电压不超过安全范围。这对于锂离子电池等对充电电压敏感的电池类型尤为重要。 总的来说,PDZ8.2B,115 齐纳二极管凭借其稳定的电压特性和较小的封装尺寸,适用于多种电子电路中的稳压、保护和参考功能,特别适合小型化、高性能的电子产品设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 8.2V 400MW SOD323稳压二极管 400mW 8.2V |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PDZ8.2B,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PDZ8.2B,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 5V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-323 |
其它名称 | 568-6457-6 |
功率-最大值 | 400mW |
功率耗散 | 400 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
封装/箱体 | SC-76 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 500 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 8.2V |
电压容差 | 2 % |
电压温度系数 | 4.6 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
零件号别名 | PDZ8.2B T/R |
齐纳电压 | 8.19 V |