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  • 型号: PDZ8.2B,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDZ8.2B,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDZ8.2B,115价格参考。NXP SemiconductorsPDZ8.2B,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 8.2V 400mW ±2% Surface Mount SOD-323。您可以下载PDZ8.2B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDZ8.2B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 PDZ8.2B,115 是一款单齐纳二极管,具有多种应用场景。齐纳二极管的主要特点是其在反向击穿区域能够稳定电压,因此广泛应用于需要精确电压参考和稳压的电路中。

 1. 电源稳压
PDZ8.2B,115 可以用于简单的线性稳压电路中,提供稳定的输出电压。它能够在输入电压波动的情况下,保持输出电压的稳定,适用于小型电子设备、传感器模块等对电压要求较高的场合。

 2. 电压参考
该型号的齐纳二极管可以用作电压参考源,尤其是在需要高精度电压参考的应用中。例如,在模拟电路中,齐纳二极管可以为运算放大器、比较器等提供稳定的基准电压,确保电路的正常工作。

 3. 过压保护
PDZ8.2B,115 还可以用于过压保护电路。当输入电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并分流多余的电流,从而保护后续电路免受过高电压的损害。这种应用常见于电源输入端、信号传输线路等易受电压波动影响的地方。

 4. 信号箝位
在信号处理电路中,PDZ8.2B,115 可以用于信号箝位,限制信号的幅度。通过将信号电压限制在一个安全范围内,防止信号超出电路的承受能力,避免损坏敏感元件。

 5. 温度补偿
某些情况下,齐纳二极管还可以与其他元件(如热敏电阻)结合使用,进行温度补偿。PDZ8.2B,115 的温度系数特性使其适合用于需要温度补偿的精密电路中,确保在不同温度环境下电压的稳定性。

 6. 电池充电管理
在电池充电管理系统中,PDZ8.2B,115 可以用于监控电池电压,确保充电过程中的电压不超过安全范围。这对于锂离子电池等对充电电压敏感的电池类型尤为重要。

总的来说,PDZ8.2B,115 齐纳二极管凭借其稳定的电压特性和较小的封装尺寸,适用于多种电子电路中的稳压、保护和参考功能,特别适合小型化、高性能的电子产品设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 8.2V 400MW SOD323稳压二极管 400mW 8.2V

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PDZ8.2B,115-

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产品型号

PDZ8.2B,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

1.1V @ 100mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 5V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-323

其它名称

568-6457-6

功率-最大值

400mW

功率耗散

400 mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±2%

封装

Reel

封装/外壳

SC-76,SOD-323

封装/箱体

SC-76

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

500 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

10 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

8.2V

电压容差

2 %

电压温度系数

4.6 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

10 欧姆

零件号别名

PDZ8.2B T/R

齐纳电压

8.19 V

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