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  • 型号: PDZ6.2B,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PDZ6.2B,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDZ6.2B,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDZ6.2B,115价格参考。NXP SemiconductorsPDZ6.2B,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 6.2V 400mW ±2% Surface Mount SOD-323。您可以下载PDZ6.2B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDZ6.2B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 PDZ6.2B,115 是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管系列。其主要应用场景如下:

 1. 电压稳压
   - PDZ6.2B,115 的齐纳电压为 6.2V(标称值),适用于低电压电路中的稳压功能。它可以将输出电压稳定在特定范围内,保护后级电路免受电压波动的影响。
   - 常用于电源电路中,为微控制器、传感器或其他低功耗设备提供稳定的参考电压。

 2. 信号电平调整
   - 在信号处理电路中,PDZ6.2B,115 可用于限制输入或输出信号的幅度,确保信号电平符合后续电路的要求。
   - 例如,在音频电路中,可用于防止信号过载或失真。

 3. 过压保护
   - 该齐纳二极管可以用来保护敏感电子元件免受瞬态过压的影响。当输入电压超过齐纳电压时,二极管会导通并分流多余电流,从而保护后级电路。
   - 常见于 USB 接口、通信接口(如 RS-232 或 I2C)等场景中的过压保护设计。

 4. 参考电压源
   - PDZ6.2B,115 可作为简单的参考电压源,用于比较器、运算放大器或其他需要精确电压基准的电路。
   - 在某些模拟电路中,它可以用作基准电压来控制开关或触发事件。

 5. 浪涌抑制
   - 在某些情况下,PDZ6.2B,115 可以与其他元件(如电阻或电容)配合使用,抑制电路中的电压浪涌,避免损坏敏感器件。
   - 例如,在继电器驱动电路中,可用于吸收继电器线圈断开时产生的反向电动势。

 6. 温度补偿电路
   - 齐纳二极管的齐纳电压会随着温度变化而略有漂移。通过合理设计,PDZ6.2B,115 可用于温度补偿电路中,确保整体系统性能在不同温度下保持稳定。

 总结
PDZ6.2B,115 适合应用于对成本和性能要求均衡的场景,尤其是在低功耗、小型化设计中表现优异。其典型应用包括电源稳压、信号调节、过压保护和参考电压生成等。由于其额定功率较小(通常为 500mW),更适合轻负载或低功耗电路环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 6.2V 400MW SOD323稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PDZ6.2B,115-

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产品型号

PDZ6.2B,115

不同If时的电压-正向(Vf)

1.1V @ 100mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 3V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-323

其它名称

568-11261-6

功率-最大值

400mW

功率耗散

400 mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±2%

封装

Reel

封装/外壳

SC-76,SOD-323

封装/箱体

SC-76

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

500 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

50 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

6.2V

电压容差

2 %

电压温度系数

2.7 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

50 欧姆

零件号别名

PDZ6.2B T/R

齐纳电压

6.195 V

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