ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTD123YT,215
Datasheet下载- 型号： PDTD123YT,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTD123YT,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTD123YT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTD123YT,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTD123YT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTD123YT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PDTD123YT,215 是一款预偏置的单通道双极晶体管 (BJT)，其应用场景广泛，尤其适用于需要高可靠性和稳定性的电路设计中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 PDTD123YT,215 常用于电源管理电路中，作为开关或线性稳压器的关键元件。它能够处理较大的电流，并且具有较低的饱和电压，因此在电源转换和稳压电路中表现出色。预偏置特性使得它能够在启动或关闭过程中快速响应，确保电源系统的稳定运行。 2. 信号放大 由于其良好的线性特性和低噪声性能，PDTD123YT,215 也常用于音频放大器、射频（RF）放大器等信号放大的场合。预偏置设计有助于减少失真，提高信号的保真度，尤其是在高频应用中表现尤为突出。 3. 电机控制 在电机驱动和控制电路中，PDTD123YT,215 可以作为功率放大器或开关元件使用。它能够承受较高的电流波动，并且预偏置特性使其在频繁切换状态下保持稳定，从而延长了电机的使用寿命并提高了效率。 4. 保护电路 该型号的晶体管还适用于过流保护、短路保护等安全电路中。它的快速响应时间和稳定的偏置特性可以有效防止电路中的异常情况，如过载或短路，从而保护其他敏感元件免受损坏。 5. 通信设备 在通信领域，PDTD123YT,215 可用于调制解调器、收发器等设备中，特别是在需要精确控制信号强度和频率的应用中。预偏置特性有助于确保信号的稳定传输，减少干扰和误码率。 6. 工业自动化 在工业控制系统中，PDTD123YT,215 可以作为传感器接口、执行器驱动等元件。它能够适应恶劣的工作环境，具备较高的抗干扰能力和稳定性，适合应用于工厂自动化、机器人控制等领域。 总之，PDTD123YT,215 凭借其预偏置设计和高性能特点，在多个领域有着广泛的应用前景，特别适用于对稳定性和可靠性要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTD123YT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTD123YT,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 50mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6441-1 |
| 典型电阻器比率 | 0.219 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTD123YT T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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