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  • 型号: PDTD113ZS,126
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTD113ZS,126由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTD113ZS,126价格参考。NXP SemiconductorsPDTD113ZS,126封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTD113ZS,126参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTD113ZS,126 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PDTD113ZS,126

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 2.5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

70 @ 50mA,5V

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

934059145126
PDTD113ZS AMO
PDTD113ZS AMO-ND

功率-最大值

500mW

包装

带盒(TB)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

2,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

1k

频率-跃迁

-

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