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PDTC123JE,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123JE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123JE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123JE,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75。您可以下载PDTC123JE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC123JE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的 PDTC123JE,115 是一款预偏置的双极型晶体管 (BJT),属于单晶体管类别。以下是该型号的应用场景分析: 1. 开关应用 - 电源管理:PDTC123JE,115 可用于低功率开关电路中,实现对负载的开关控制。例如,在电池供电设备中,可以用作电源开关或负载切换。 - 继电器驱动:该晶体管适合驱动小型电磁继电器,通过控制电流来激活或关闭继电器线圈。 2. 信号放大 - 音频信号放大:在低功率音频设备中,如蜂鸣器或小型扬声器驱动电路,PDTC123JE,115 可用作信号放大器,增强输入信号以驱动输出设备。 - 传感器信号放大:用于将微弱的传感器信号(如温度、压力或光敏传感器)放大到可检测或处理的水平。 3. 保护电路 - 过流保护:通过设计限流电路,PDTC123JE,115 可以在电流超过设定值时切断电路,保护下游设备。 - 短路保护:在某些应用中,该晶体管可以用作快速响应的短路检测和保护元件。 4. 电机控制 - 小型直流电机驱动:适用于低功率直流电机的启动、停止和速度控制。通过调整输入电流或电压,可以实现对电机转速的精确控制。 - H桥电路的一部分:在简单的 H 桥电路中,PDTC123JE,115 可用于控制电机的正转和反转。 5. 通信与接口电路 - 电平转换:在不同逻辑电平之间进行转换时,该晶体管可以用作缓冲器或电平移位器。 - 数据传输增强:在低速数据传输线路中,可用于增强信号强度,减少信号衰减。 6. 其他应用场景 - LED驱动:PDTC123JE,115 可用于控制单个或多组 LED 的亮度或闪烁频率。 - 脉冲宽度调制 (PWM):在 PWM 控制电路中,该晶体管可以用作功率级开关,调节输出功率。 总结 PDTC123JE,115 作为一款预偏置的 BJT,具有稳定的性能和较高的可靠性,适用于多种低功率电子设备中的开关、放大和保护功能。其典型应用场景包括电源管理、信号处理、电机控制和保护电路等。具体应用需根据实际电路需求选择合适的外围元件和工作参数。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC123JE,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PDTC123JE,115 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SC-75 |
其它名称 | 568-11247-6 |
典型电阻器比率 | 0.047 |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | SOT-416-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
零件号别名 | PDTC123JE T/R |
频率-跃迁 | - |