ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTC115TT,215
Datasheet下载- 型号： PDTC115TT,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC115TT,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC115TT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTC115TT,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTC115TT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC115TT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PDTC115TT,215 是一款预偏置的双极晶体管 (BJT)，适用于多种电子设备和应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源管理 PDTC115TT,215 可用于各种电源管理系统中，如线性稳压器、开关电源等。它能够有效地控制电流和电压，确保电路稳定运行。预偏置设计使得该晶体管在启动时能够快速进入工作状态，减少启动时间，提高效率。 2. 信号放大 该晶体管广泛应用于音频放大器、射频放大器等信号放大电路中。由于其高增益特性，PDTC115TT,215 能够将微弱的输入信号放大到所需的输出水平，适用于低噪声、高保真度的音频设备和通信设备。 3. 开关应用 PDTC115TT,215 还可用于开关电路中，如继电器驱动、LED 驱动等。其预偏置特性使其能够在开关状态下快速切换，减少开关延迟，提高响应速度。此外，该晶体管具有良好的耐压和电流承载能力，适合用于需要频繁开关的应用场景。 4. 保护电路 在过流保护、短路保护等安全电路中，PDTC115TT,215 可以作为关键元件。当检测到异常电流或电压时，该晶体管可以迅速切断电路，防止损坏其他组件，起到保护作用。 5. 汽车电子 在汽车电子系统中，PDTC115TT,215 可用于发动机控制单元（ECU）、车身控制系统、灯光控制等。其高温稳定性和可靠性使其能够在严苛的汽车环境中正常工作，确保车辆的安全性和舒适性。 6. 工业自动化 在工业自动化领域，PDTC115TT,215 可用于电机驱动、传感器接口等场合。其预偏置设计有助于提高系统的响应速度和精度，适用于需要精确控制的工业设备。 总的来说，PDTC115TT,215 凭借其预偏置特性、高增益和可靠的性能，适用于广泛的电子应用，特别是在需要高效能、快速响应和高可靠性的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN W/RES 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC115TT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC115TT,215 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-2148-6 |
| 典型输入电阻器 | 100 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC115TT T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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