【晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置_PDTC114YEF,115】封装/厂家_PDTC114YEF,115中文资料_价格

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型号： PDTC114YEF,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114YEF,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114YEF,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC114YEF,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-89。您可以下载PDTC114YEF,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC114YEF,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的PDTC114YEF,115是一款预偏置的单晶体管 - 双极 (BJT) 晶体管。这款晶体管具有多种应用场景，尤其适用于需要高可靠性和精确控制电流的应用中。

 应用场景：

1. 电源管理：
   PDTC114YEF,115可以用于开关电源、线性稳压器等电源管理系统中。其预偏置特性使得它在启动和关断过程中能够提供更稳定的电流控制，确保电源系统的高效运行和稳定性。

2. 电机驱动：
   在小型电机驱动应用中，该晶体管可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速响应和低饱和电压特性有助于提高电机驱动效率，减少能耗。

3. 信号放大：
   由于其高增益和低噪声特性，PDTC114YEF,115也适用于音频放大器、传感器信号放大等应用。它可以放大微弱的输入信号，同时保持较低的失真度，确保输出信号的高质量。

4. 保护电路：
   在过流保护、短路保护等电路设计中，该晶体管可以作为关键元件，实现对负载电流的实时监测和保护。其预偏置特性使得它能够在检测到异常电流时迅速做出反应，切断电流路径，保护系统免受损坏。

5. 工业自动化：
   在工业控制系统中，PDTC114YEF,115可以用于各种传感器接口、执行器驱动等场合。它能够承受较高的环境温度，并且具有良好的抗干扰能力，适用于恶劣的工业环境。

6. 消费电子：
   在一些消费电子产品中，如智能手机、平板电脑等，该晶体管可以用于电池管理、充电控制等功能模块中。其紧凑的封装形式和低功耗特性使其非常适合便携式设备的应用需求。

总之，PDTC114YEF,115凭借其优异的电气性能和可靠性，在多个领域都有广泛的应用前景，特别是在对电流控制精度要求较高的场合表现尤为突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89
产品分类	晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	PDTC114YEF,115
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	100mV @ 250µA， 5mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 5mA，5V
供应商器件封装	SC-89
其它名称	568-2142-1 PDTC114YEF115
功率-最大值	250mW
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SC-89，SOT-490
晶体管类型	NPN - 预偏压
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	1µA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	47k
电阻器-基底(R1)(Ω)	10k
频率-跃迁	-