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  • 型号: PDTC114YE,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114YE,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114YE,135价格参考。NXP SemiconductorsPDTC114YE,135封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75。您可以下载PDTC114YE,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC114YE,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的PDTC114YE,135是一款预偏置的双极晶体管(BJT),属于单晶体管类型。它具有独特的性能和特性,适用于多种应用场景。以下是该型号晶体管的一些典型应用:

 1. 开关电路
PDTC114YE,135晶体管可以用于开关电路中,特别是在需要高可靠性和快速响应的应用中。由于其预偏置设计,能够简化电路设计并提高开关速度。例如,在电源管理、继电器控制或电机驱动等场景中,这款晶体管可以提供稳定的开关功能。

 2. 信号放大
在音频设备、传感器信号处理等领域,PDTC114YE,135可以用于信号放大的任务。其低噪声特性和良好的线性度使其适合用于对信号质量要求较高的场合。例如,在无线通信设备、医疗仪器中的信号调理电路中,它可以有效地放大微弱信号。

 3. 保护电路
该晶体管还可以用于过流保护、短路保护等保护电路中。通过检测电流的变化,PDTC114YE,135可以在异常情况下迅速切断电路,防止损坏其他元器件。这种保护机制广泛应用于汽车电子、工业控制系统等对可靠性要求极高的领域。

 4. 温度传感与补偿
由于其温度特性较为稳定,PDTC114YE,135可以用于温度传感和补偿电路中。通过监测晶体管的基极-发射极电压(Vbe)变化,可以实现温度测量或进行温度补偿,确保系统在不同温度环境下保持稳定性能。

 5. 脉宽调制(PWM)控制
在LED驱动、风扇控制等应用中,PDTC114YE,135可以通过PWM技术来调节输出功率或亮度。其预偏置特性使得它在PWM控制中表现出色,能够在高频切换时保持较低的功耗和较高的效率。

总之,PDTC114YE,135晶体管凭借其预偏置设计和优异的性能,适用于各种需要精确控制、高效能和高可靠性的电子系统中。无论是消费电子产品、工业自动化还是汽车电子领域,它都能发挥重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PDTC114YE,135

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

100mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 5mA,5V

供应商器件封装

SC-75

其它名称

934054814135
PDTC114YE /T3
PDTC114YE /T3-ND

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-75,SOT-416

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

10,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

频率-跃迁

-

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