ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTC114EMB,315
Datasheet下载- 型号： PDTC114EMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114EMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114EMB,315价格参考￥0.12-￥0.12。NXP SemiconductorsPDTC114EMB,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3。您可以下载PDTC114EMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC114EMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PDTC114EMB,315 是一款预偏置的双极晶体管 (BJT)，具体型号为 PDTC114EMB。这款晶体管属于单个 NPN 类型，具有低饱和电压和高开关速度的特点，适用于多种应用场景。 应用场景： 1. 电源管理： - 该晶体管广泛应用于各种电源管理系统中，如线性稳压器、开关电源等。其低饱和电压特性使得它在这些应用中能够有效减少功率损耗，提高效率。 2. 信号放大： - 在音频设备和其他需要信号放大的场合，PDTC114EMB 可以作为放大级的一部分，提供稳定的增益和良好的线性度，确保信号不失真。 3. 开关应用： - 由于其快速开关特性和低饱和电压，PDTC114EMB 适合用于高速开关电路，如继电器驱动、LED 驱动、电机控制等。它可以快速响应输入信号的变化，实现高效的开关操作。 4. 保护电路： - 在过流保护、短路保护等电路中，PDTC114EMB 可以作为关键元件，帮助检测异常电流并迅速切断电路，保护其他敏感元件免受损坏。 5. 通信设备： - 在通信设备中，尤其是射频 (RF) 和微波电路中，PDTC114EMB 可以用于信号调制、解调以及频率转换等任务，确保信号传输的稳定性和可靠性。 6. 消费电子产品： - 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，PDTC114EMB 可以用于电池管理、充电控制、背光驱动等模块，提供高效且可靠的性能。 7. 工业自动化： - 在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器 (PLC)、传感器接口等，PDTC114EMB 可以用于信号处理和驱动执行器，确保系统的稳定运行。 8. 汽车电子： - 在汽车电子系统中，如发动机控制单元 (ECU)、车身控制模块 (BCM) 等，PDTC114EMB 可以用于信号放大、开关控制等功能，满足汽车环境下的严格要求。 总之，PDTC114EMB,315 晶体管凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于广泛的电子设备和系统中，尤其在需要高效能、快速响应和低功耗的应用场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC114EMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934067008315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 230MHz |
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