ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTC114EM,315
Datasheet下载- 型号： PDTC114EM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114EM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114EM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTC114EM,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3。您可以下载PDTC114EM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC114EM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PDTC114EM,315 是一款预偏置的双极晶体管 (BJT)，属于单晶体管类别。这种晶体管在多种应用场景中表现出色，特别是在需要高效、可靠且紧凑的解决方案的情况下。 应用场景 1. 电源管理： - PDTC114EM,315 可用于各种电源管理电路中，例如线性稳压器和开关模式电源（SMPS）。它能够提供稳定的电流输出，并具有较低的饱和电压，有助于提高电源转换效率，减少能量损耗。 2. 信号放大： - 该晶体管适用于音频放大器和其他信号放大应用。其高增益和低噪声特性使其成为处理微弱信号的理想选择，能够在不失真的情况下放大信号。 3. 开关应用： - 在数字电路和逻辑控制中，PDTC114EM,315 可作为开关元件使用。其快速开关特性和低导通电阻使得它在高频开关应用中表现优异，如继电器驱动、电机控制等。 4. 保护电路： - 该晶体管可用于过流保护、短路保护等安全电路设计中。其预偏置特性使得它可以更稳定地工作在特定的工作点，从而提高系统的可靠性。 5. 汽车电子： - 在汽车电子系统中，PDTC114EM,315 可用于车身控制模块（BCM）、发动机控制单元（ECU）等。它能够承受较宽的工作温度范围，并具备良好的抗电磁干扰能力，确保在严苛环境下稳定运行。 6. 消费电子： - 该晶体管广泛应用于消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它的小型封装和高效性能使其非常适合便携式设备中的紧凑设计需求。 7. 工业自动化： - 在工业控制系统中，PDTC114EM,315 可用于传感器接口、执行器驱动等场合。其坚固耐用的设计和高可靠性确保了长时间稳定工作，适应复杂的工业环境。 总之，PDTC114EM,315 凭借其出色的电气性能和广泛的适用性，在众多领域中都有着重要的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC114EM,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC114EM,315 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 934057170315 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 封装/箱体 | SC-101-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC114EM T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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