ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTC114EM,315
Datasheet下载- 型号： PDTC114EM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114EM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114EM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTC114EM,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3。您可以下载PDTC114EM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC114EM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC114EM,315 是一种光电晶体管耦合器（Phototransistor Coupler），属于光耦合器的一种，主要用于实现电气隔离和信号传输。以下是其主要应用场景： 1. 工业自动化与控制 在工业控制系统中，PDTC114EM,315 可用于隔离输入输出信号，防止高压或噪声干扰控制系统。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）中，它能够将传感器信号与控制电路隔离，确保系统的稳定性和安全性。 2. 电源管理 该器件常用于开关电源、逆变器等电源管理系统中，实现初级和次级电路的电气隔离。通过光耦合器传递反馈信号，可以有效防止高压侧对低压侧的影响，保护敏感的控制电路。 3. 通信接口 在串行通信接口（如RS-232、RS-485）中，PDTC114EM,315 可以用于隔离发送和接收端，避免不同设备之间的地线电位差引起的干扰或损坏。特别是在长距离通信或恶劣环境下，光耦合器的隔离特性尤为重要。 4. 电机驱动与逆变器 在电机驱动和逆变器应用中，PDTC114EM,315 可用于隔离控制信号和功率级电路，确保驱动电路的安全性。例如，在步进电机、伺服电机的控制中，光耦合器可以防止大电流波动对控制芯片造成损害。 5. 医疗设备 在医疗设备中，尤其是涉及患者接触的设备（如心电图机、监护仪等），PDTC114EM,315 可用于隔离前端传感器与后端处理电路，确保设备的安全性和可靠性，防止漏电或高压对患者的伤害。 6. 家用电器 在一些家用电器（如洗衣机、空调等）中，PDTC114EM,315 可用于隔离控制板与功率电路，确保用户操作安全，并减少电磁干扰对控制系统的不利影响。 总结 PDTC114EM,315 的核心优势在于其高隔离电压、低功耗和稳定的性能，适用于需要电气隔离和信号传输的各种场景，尤其是在工业、电力、通信、医疗等领域具有广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC114EM,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC114EM,315 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 934057170315 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 封装/箱体 | SC-101-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC114EM T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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