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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTB123YT,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTB123YT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTB123YT,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载PDTB123YT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTB123YT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PDTB123YT,215 是一款预偏置的双极晶体管(BJT),广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 PDTB123YT,215 常用于电源管理电路中,如线性稳压器、开关电源等。它能够有效地控制电流流动,确保输出电压稳定。预偏置设计使得该晶体管在启动时能够快速进入工作状态,减少启动时间,提高效率。 2. 信号放大 该晶体管适用于音频放大器、射频(RF)放大器等信号放大的场景。由于其高增益特性,能够在低噪声的情况下放大微弱信号,特别适合需要高保真度的应用,如收音机、对讲机等通信设备。 3. 开关应用 PDTB123YT,215 还可以用作开关元件,控制电路中的通断。例如,在LED驱动、继电器控制等场合,它可以迅速响应控制信号,实现高效、可靠的开关功能。预偏置设计有助于减少开关延迟,提升响应速度。 4. 保护电路 在过流保护、短路保护等保护电路中,该晶体管可以起到关键作用。当检测到异常电流时,它能够迅速切断电路,防止损坏其他元件。预偏置特性使其在正常工作状态下保持稳定的导通状态,而在故障发生时快速关断。 5. 温度传感器 某些应用中,PDTB123YT,215 可以作为温度传感器的一部分。通过监测其基极-发射极电压的变化,可以间接测量环境温度。这种应用常见于温控系统、恒温器等设备中。 6. 工业自动化 在工业控制系统中,PDTB123YT,215 可用于驱动执行器、电机控制器等。它能够承受较大的电流波动,确保设备在恶劣环境下稳定运行。预偏置设计提高了系统的可靠性和响应速度。 总之,PDTB123YT,215 晶体管凭借其预偏置设计和优异的性能,在电源管理、信号放大、开关控制、保护电路、温度传感及工业自动化等多个领域有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTB123YT,215- |
数据手册 | |
产品型号 | PDTB123YT,215 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 50mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-11243-6 |
典型电阻器比率 | 0.219 |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 250mW |
功率耗散 | 250 mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | TO-236-3 |
峰值直流集电极电流 | 500 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
零件号别名 | PDTB123YT T/R |
频率-跃迁 | - |