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Datasheet下载- 型号： PDTB113ZT,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTB113ZT,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTB113ZT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTB113ZT,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTB113ZT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTB113ZT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PDTB113ZT,215 是一款预偏置的双极晶体管（BJT），属于单晶体管类别。这类器件广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要精确控制电流和电压的应用场景中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - 线性稳压器：PDTB113ZT,215 可用于线性稳压器电路中，帮助稳定输出电压，确保下游电路获得稳定的电源供应。其预偏置特性使得它在启动和工作过程中更加稳定。 - 开关电源中的驱动级：在开关电源中，该晶体管可以用作驱动级元件，帮助控制主功率开关（如MOSFET或IGBT）的开关状态，提高电源效率。 2. 信号放大 - 音频放大器：在音频设备中，PDTB113ZT,215 可以用作前置放大器或功率放大器中的关键元件，帮助放大音频信号。其高增益特性和低噪声性能使其非常适合处理微弱的音频信号。 - 射频（RF）放大器：在射频通信系统中，该晶体管可以用于放大高频信号，尤其是在低功耗、高性能要求的无线通信设备中。 3. 保护电路 - 过流保护：PDTB113ZT,215 可以用于设计过流保护电路，通过检测电流的变化来触发保护机制，防止电路因过载而损坏。 - 温度保护：结合温度传感器，该晶体管可以帮助实现温度监控和保护功能，确保设备在安全的工作温度范围内运行。 4. 工业自动化 - 电机驱动：在工业控制系统中，PDTB113ZT,215 可以用于驱动小型电机或执行器，提供所需的电流和电压控制，确保电机平稳运行。 - 传感器接口：该晶体管可以作为传感器接口的一部分，帮助放大传感器输出的微弱信号，使其更适合后续处理。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：在这些便携式设备中，PDTB113ZT,215 可以用于音频放大、电源管理等模块，确保设备的高性能和低功耗。 - 智能家居设备：在智能灯泡、智能插座等设备中，该晶体管可用于控制负载，实现远程开关和调光等功能。 总之，PDTB113ZT,215 凭借其预偏置特性和优异的电气性能，适用于多种需要精确电流控制和信号放大的应用场景，尤其适合对可靠性要求较高的工业和消费电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTB113ZT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTB113ZT,215 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 50mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-11241-1 |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTB113ZT T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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