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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PDTB113ZS,126 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 50mA,5V |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | 934059146126 |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 带盒(TB) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 2,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
频率-跃迁 | - |