ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTA115ET,215
Datasheet下载- 型号： PDTA115ET,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA115ET,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA115ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTA115ET,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载PDTA115ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA115ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PDTA115ET,215 是一款预偏置的单个双极晶体管（BJT），广泛应用于各种电子设备中。这款晶体管具有出色的性能和可靠性，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 PDTA115ET,215 可用于电源管理电路中，例如稳压器、开关电源和线性电源。它能够提供稳定的电流输出，确保电路在不同负载条件下保持稳定的工作状态。其低饱和电压和高电流增益特性使其在电源转换效率方面表现出色。 2. 信号放大 该晶体管适用于音频放大器、射频（RF）放大器等信号放大的应用场景。它能够在小信号和大信号之间实现高效的放大，同时保持较低的噪声水平。PDTA115ET,215 的高频响应能力使其适合用于高频信号处理，如无线通信设备中的前端放大。 3. 开关应用 在数字电路中，PDTA115ET,215 可作为开关元件使用。它能够快速切换导通和截止状态，适用于脉宽调制（PWM）控制器、继电器驱动器等场景。其预偏置设计简化了电路设计，减少了外部元件的数量，降低了整体成本。 4. 电机控制 PDTA115ET,215 还可以用于小型电机的驱动和控制。它能够承受较大的电流波动，并且具备良好的散热性能，确保长时间稳定运行。在步进电机、直流电机等应用中，该晶体管可以实现精确的速度和位置控制。 5. 保护电路 该晶体管还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过监测电流的变化，PDTA115ET,215 可以及时切断电路，防止因过载或短路导致的损坏。其高可靠性和稳定性使其成为保护电路的理想选择。 总之，PDTA115ET,215 凭借其优异的电气特性、预偏置设计和广泛的适用性，在电源管理、信号放大、开关应用、电机控制和保护电路等领域展现出卓越的性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP W/RES 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA115ET,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTA115ET,215 |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-2109-1 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 100 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 20 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTA115ET T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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