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PDTA114YT,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA114YT,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA114YT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTA114YT,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载PDTA114YT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA114YT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的PDTA114YT,215是一款预偏置的单晶体管(双极型晶体管,BJT),主要用于需要精确控制电流和电压的应用场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - 线性稳压器:PDTA114YT,215可用于线性稳压器中,作为调整管来稳定输出电压。其预偏置特性使得它能够在启动时快速进入工作状态,确保输出电压的稳定性。 - 低压差稳压器 (LDO):在低功耗设备中,如便携式电子设备、传感器节点等,该晶体管可以用于LDO电路中,提供稳定的直流输出。 2. 信号放大 - 音频放大器:在音频设备中,PDTA114YT,215可以用于小信号放大,特别是在前置放大器中,能够提供良好的增益和低噪声性能。 - 射频 (RF) 放大器:在无线通信设备中,该晶体管可以用于低噪声放大器 (LNA) 或驱动级放大器,以提高信号的质量和传输距离。 3. 开关应用 - 继电器驱动:PDTA114YT,215可以用作继电器的驱动晶体管,通过控制基极电流来切换继电器的状态。其预偏置设计有助于减少启动时间,提高响应速度。 - LED驱动:在LED照明系统中,该晶体管可以用于恒流驱动电路,确保LED在不同负载条件下保持稳定的亮度。 4. 保护电路 - 过流保护:PDTA114YT,215可以用于过流保护电路中,当检测到电流超过设定值时,迅速切断电源,保护下游电路免受损坏。 - 温度保护:在一些对温度敏感的应用中,该晶体管可以与热敏电阻配合使用,实现温度监控和保护功能。 5. 工业控制 - 电机驱动:在小型电机控制系统中,PDTA114YT,215可以用于驱动电机,控制其转速和方向。其预偏置特性有助于提高系统的响应速度和精度。 - PLC模块:在可编程逻辑控制器 (PLC) 中,该晶体管可以用于输入/输出模块,实现信号的隔离和放大。 总之,PDTA114YT,215凭借其预偏置特性和优异的电气性能,在多种应用场景中表现出色,特别适合需要高精度、快速响应和可靠性的电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA114YT,215- |
数据手册 | |
产品型号 | PDTA114YT,215 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-11229-1 |
典型电阻器比率 | 0.213 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
零件号别名 | PDTA114YT T/R |
频率-跃迁 | - |