ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTA114YMB,315
Datasheet下载- 型号： PDTA114YMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA114YMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA114YMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA114YMB,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3。您可以下载PDTA114YMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA114YMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA114YMB,315 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款预偏置双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号的主要应用场景包括： 1. 信号放大：由于其高增益和稳定性，适用于音频、射频和其他信号放大的场合，能够提供清晰且不失真的信号输出。 2. 开关应用：适合用作电子开关，在数字电路中控制其他设备的开闭状态，例如驱动继电器、LED 或小型电机等。 3. 电源管理：可用于直流-直流转换器、稳压器或电池管理系统中的电流调节和电压控制组件。 4. 消费电子产品：广泛应用于电视、音响系统、家用电器等需要高效能与小体积解决方案的产品中。 5. 工业自动化：在传感器接口、过程控制单元等方面发挥重要作用，帮助实现精确的数据采集与处理。 6. 通信设备：支持无线通信模块中的功率放大及频率调制功能，确保数据传输的可靠性和速度。 这款晶体管因其优异的电气特性和紧凑的设计，特别适合对空间要求严格的应用环境，同时具备良好的热性能以适应各种工作条件。选择此型号时，请根据具体项目需求参考其详细规格参数进行设计优化。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA114YMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065922315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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