ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTA114EE,115
Datasheet下载- 型号： PDTA114EE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA114EE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA114EE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA114EE,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 150mW Surface Mount SC-75。您可以下载PDTA114EE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA114EE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的 PDTA114EE,115 是一款预偏置的单晶体管 - 双极 (BJT) 晶体管。这类器件广泛应用于各种电子设备中，主要用于信号放大、开关控制等场景。 应用场景： 1. 音频放大器： - 该晶体管可用于音频信号放大的前置级或功率输出级，提供稳定的增益和低失真性能。其预偏置特性有助于简化电路设计，减少外部元件数量，从而提高系统的可靠性和稳定性。 2. 电源管理： - 在电源管理电路中，PDTA114EE,115 可用于电压调节、电流控制等环节。例如，在线性稳压器中，它可以用作调整管，通过调节基极电流来控制输出电压，确保负载端的电压稳定。 3. 电机驱动： - 该晶体管适用于小功率电机驱动应用，如步进电机、直流电机等。它可以作为开关元件，通过快速切换导通和截止状态来控制电机的启停和转速。 4. 传感器接口： - 在传感器接口电路中，PDTA114EE,115 可用于信号调理，将微弱的传感器信号进行放大，以便后续处理。其高输入阻抗和低噪声特性使其特别适合精密测量系统。 5. 通信设备： - 在通信设备中，该晶体管可用于射频（RF）信号的放大和调制。其高频特性和良好的线性度使其在无线通信模块中有广泛应用，如蓝牙、Wi-Fi 等。 6. 消费电子产品： - 该晶体管还可用于各种消费电子产品中，如遥控器、智能家居设备等。它的小型化封装和低功耗特性使其非常适合便携式设备和电池供电的应用场合。 7. 工业控制： - 在工业自动化领域，PDTA114EE,115 可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口、执行器驱动等场合。其高可靠性、宽工作温度范围和抗干扰能力强的特点，使其能够在严苛的工业环境中稳定工作。 总之，PDTA114EE,115 的预偏置特性简化了电路设计，降低了调试难度，同时其广泛的电气参数使其适用于多种应用场景，尤其在需要高性能、高可靠性的电子系统中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA114EE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTA114EE,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-11226-6 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SOT-416-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTA114EE T/R |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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