ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > PD85025STR-E
.jpg)
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： PD85025STR-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PD85025STR-E产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD85025STR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD85025STR-E价格参考。STMicroelectronicsPD85025STR-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 13.6V 300mA 870MHz 17.3dB 10W PowerSO-10RF（直引线）。您可以下载PD85025STR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD85025STR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD85025STR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（直引线） |
| 其它名称 | 497-12513-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF178219?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.3dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 600 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | 7A |
.jpg)
