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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PD57018S-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD57018S-E价格参考。STMicroelectronicsPD57018S-E封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS 28V 100mA 945MHz 16.5dB 18W PowerSO-10RF(直引线)。您可以下载PD57018S-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PD57018S-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD57018S-E是一款射频MOSFET晶体管,主要应用于高频射频功率放大器领域。该器件具有出色的线性度和效率,适用于需要高性能射频信号放大的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 无线通信基站:PD57018S-E可用于2G、3G、4G甚至5G基站中的射频功率放大器模块。它能够提供稳定的射频输出功率,确保信号传输的可靠性和覆盖范围。 2. 射频识别(RFID)系统:在RFID读写器中,PD57018S-E可以用于增强信号发射强度,提高读取距离和准确性,特别适合工业自动化、物流管理等领域的应用。 3. 卫星通信设备:该器件适用于卫星通信终端中的射频前端模块,能够有效提升信号传输的质量和稳定性,确保数据传输的高效性和可靠性。 4. 雷达系统:PD57018S-E可用于气象雷达、交通监控雷达等设备的射频发射部分,提供高功率、低失真的射频信号输出,满足复杂环境下的探测需求。 5. 无线局域网(WLAN)设备:在Wi-Fi路由器或接入点中,PD57018S-E可以用于增强信号覆盖范围和传输速率,改善网络性能。 6. 军事通信设备:在军用无线电通信系统中,该器件可以用于提高信号的抗干扰能力和传输距离,确保通信的安全性和可靠性。 7. 射频测试仪器:PD57018S-E也可用于射频信号发生器、频谱分析仪等测试设备中,提供高精度的射频信号源,帮助工程师进行精确的射频性能测试。 总之,PD57018S-E凭借其优异的射频性能,广泛应用于各种需要高效、稳定射频信号放大的场合,特别是在通信、雷达、测试测量等领域表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 |
产品分类 | RF FET |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PD57018S-E |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | PowerSO-10RF(直引线) |
其它名称 | 497-5306-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF131340?referrer=70071840 |
功率-输出 | 18W |
包装 | 管件 |
噪声系数 | - |
增益 | 16.5dB |
封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 50 |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 100mA |
频率 | 945MHz |
额定电流 | 2.5A |