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Datasheet下载- 型号： PD57018-E
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD57018-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD57018-E价格参考。STMicroelectronicsPD57018-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 100mA 945MHz 16.5dB 18W 10-PowerSO。您可以下载PD57018-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD57018-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD57018-E是一款射频（RF）MOSFET晶体管，专为高频和高功率应用设计。以下是其主要应用场景： 1. 射频功率放大器 PD57018-E广泛应用于射频功率放大器中，尤其是在无线通信设备中。它能够处理高频信号，并提供高增益和高效率的功率输出。适用于基站、无线电发射机等需要大功率射频信号放大的场合。 2. 雷达系统 在军事和民用雷达系统中，PD57018-E可以用于发射和接收链路中的功率放大。它的高线性和低噪声特性使其能够在复杂的雷达环境中保持信号的完整性和准确性。 3. 卫星通信 PD57018-E在卫星通信系统中也有重要应用，特别是在地面站设备中。它可以用于上行链路的功率放大，确保信号能够有效地传输到卫星。其高可靠性和稳定性使得它适合长期运行的卫星通信系统。 4. 工业射频加热 在工业领域，PD57018-E可用于射频加热设备，如塑料焊接、木材干燥等。这些应用需要精确控制射频能量的输出，以确保加热过程的均匀性和高效性。 5. 测试与测量设备 PD57018-E也适用于各种射频测试与测量设备，如信号发生器、频谱分析仪等。它能够提供稳定的射频信号源，帮助工程师进行准确的测试和调试。 6. 医疗设备 在医疗领域，PD57018-E可以用于射频消融设备和其他需要高精度射频控制的医疗仪器。它能够提供可靠的射频能量输出，确保治疗过程的安全性和有效性。 总的来说，PD57018-E凭借其出色的射频性能、高功率处理能力和可靠性，成为众多高性能射频应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10射频MOSFET晶体管 POWER RF Transistor |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics PD57018-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PD57018-E |
| Pd-PowerDissipation | 31.7 W |
| Pd-功率耗散 | 31.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 760 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 760 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | 10-PowerSO |
| 其它名称 | 497-5305-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF131340?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 18W |
| 功率耗散 | 31.7 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5 dB at 945 MHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 760 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 封装/箱体 | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 2.5 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 系列 | PD57018-E |
| 输出功率 | 18 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 频率 | 1 GHz |
| 额定电流 | 2.5A |
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