ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 > PD57018-E
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PD57018-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD57018-E价格参考。STMicroelectronicsPD57018-E封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS 28V 100mA 945MHz 16.5dB 18W 10-PowerSO。您可以下载PD57018-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PD57018-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10射频MOSFET晶体管 POWER RF Transistor |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics PD57018-E- |
数据手册 | |
产品型号 | PD57018-E |
Pd-PowerDissipation | 31.7 W |
Pd-功率耗散 | 31.7 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 760 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 760 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
产品类型 | RF MOSFET Power |
供应商器件封装 | 10-PowerSO |
其它名称 | 497-5305-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF131340?referrer=70071840 |
功率-输出 | 18W |
功率耗散 | 31.7 W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
噪声系数 | - |
增益 | 16.5 dB at 945 MHz |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 760 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
封装/箱体 | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
工厂包装数量 | 50 |
技术 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | MOSFET Power |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 1 S |
汲极/源极击穿电压 | 65 V |
漏极连续电流 | 2.5 A |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 100mA |
系列 | PD57018-E |
输出功率 | 18 W |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
频率 | 1 GHz |
额定电流 | 2.5A |