【晶体管 - FET，MOSFET - 射频_PD55003L-E】封装/厂家_PD55003L-E中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > PD55003L-E

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： PD55003L-E
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

PD55003L-E产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PD55003L-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD55003L-E价格参考。STMicroelectronicsPD55003L-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， RF Mosfet LDMOS 12.5V 50mA 500MHz 19dB 3W PowerFLAT™ (5x5)。您可以下载PD55003L-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD55003L-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT射频MOSFET晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	2.5 A
Id-连续漏极电流	2.5 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics PD55003L-E-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PD55003L-E
Pd-PowerDissipation	14 W
Pd-功率耗散	14 W
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	15 V
Vgs-栅源极击穿电压	15 V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	射频MOSFET晶体管
供应商器件封装	PowerFLAT™（5x5）
其它名称	497-6472-6
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF127182?referrer=70071840
功率-输出	3W
功率耗散	14 W
包装	Digi-Reel®
商标	STMicroelectronics
噪声系数	-
增益	19dB
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-PowerVDFN
封装/箱体	PowerFLAT (5x5)
工厂包装数量	3000
技术	LDMOS
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	LDMOS
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	40 V
漏极连续电流	2.5 A
电压-测试	12.5V
电压-额定	40V
电流-测试	50mA
系列	PD55003L-E
输出功率	3 W
配置	Single
闸/源击穿电压	15 V
频率	500MHz
额定电流	2.5A