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PC817X2NSZ0F产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PC817X2NSZ0F由Sharp Microelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PC817X2NSZ0F价格参考。Sharp MicroelectronicsPC817X2NSZ0F封装/规格:光隔离器 - 晶体管,光电输出, 光隔离器 晶体管 输出 5000Vrms 1 通道 4-DIP。您可以下载PC817X2NSZ0F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PC817X2NSZ0F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PC817X2NSZ0F 是由 SHARP(夏普)和 Socle Technology 生产的光隔离器,属于光电耦合器或光隔离器 - 晶体管类型。这类器件主要用于电气隔离和信号传输,特别适用于需要高可靠性和抗干扰性能的应用场景。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 工业自动化 在工业控制系统中,PC817X2NSZ0F 可用于将传感器、执行器和其他控制设备与主控系统进行电气隔离。通过光电隔离,可以有效防止电磁干扰(EMI)和地线噪声对系统的干扰,确保信号传输的稳定性和准确性。 2. 电源管理 在开关电源、稳压电源等电力电子设备中,光隔离器常用于反馈电路中,将高压侧和低压侧的信号进行隔离。PC817X2NSZ0F 的光电输出特性使其能够在不引入额外噪声的情况下传递控制信号,确保电源系统的稳定运行。 3. 通信接口 在 RS-485、RS-232 等串行通信接口中,光隔离器可以用于隔离不同的通信节点,防止因接地电位差引起的损坏。PC817X2NSZ0F 能够提供有效的电气隔离,确保通信链路的可靠性和安全性。 4. 医疗设备 在医疗设备中,如心电图机、监护仪等,光隔离器用于隔离患者与设备之间的电气连接,防止漏电流对患者的伤害。PC817X2NSZ0F 的高绝缘性能和低功耗特性使其非常适合用于这些对安全性和可靠性要求极高的应用。 5. 汽车电子 在汽车电子系统中,光隔离器可用于隔离传感器信号、驱动电机控制信号等。PC817X2NSZ0F 的紧凑封装和高可靠性使其能够适应汽车环境中的振动、温度变化等恶劣条件,确保系统的正常工作。 6. 智能家居 在智能家居系统中,光隔离器可以用于隔离不同子系统之间的信号,防止相互干扰。例如,在智能照明系统中,PC817X2NSZ0F 可以用于隔离控制器和灯泡之间的通信,确保系统的稳定性和安全性。 总之,PC817X2NSZ0F 由于其优异的光电隔离性能、高可靠性和广泛的适用性,广泛应用于各种需要电气隔离和信号传输的场合,特别是在对安全性和稳定性要求较高的领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4DIP晶体管输出光电耦合器 130-260% CTR rank |
产品分类 | |
品牌 | Sharp Microelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Sharp Microelectronics PC817X2NSZ0F- |
数据手册 | |
产品型号 | PC817X2NSZ0F |
Vce饱和值(最大值) | 200mV |
上升/下降时间(典型值) | 4µs, 3µs |
产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 |
供应商器件封装 | 4-DIP |
其它名称 | 425-2764 |
包装 | 管件 |
商标 | Sharp Microelectronics |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
封装/箱体 | DIP-4 |
工作温度 | -30°C ~ 100°C |
工厂包装数量 | 2000 |
打开/关闭时间(典型值) | - |
最大上升时间 | 18 us |
最大下降时间 | 18 us |
最大功率耗散 | 70 mW |
最大工作温度 | + 100 C |
最大集电极/发射极电压 | 80 V |
最大集电极/发射极饱和电压 | 0.2 V |
最大集电极电流 | 50 mA |
最小工作温度 | - 30 C |
标准包装 | 100 |
正向电流 | 5 mA |
每芯片的通道数量 | 1 Channel |
电压-正向(Vf)(典型值) | 1.2V |
电压-输出(最大值) | 80V |
电压-隔离 | 5000Vrms |
电流-DC正向(If) | 50mA |
电流-输出/通道 | 50mA |
电流传输比(最大值) | 260% @ 5mA |
电流传输比(最小值) | 130% @ 5mA |
电流传递比 | 130 % to 260 % |
绝缘电压 | 5000 Vrms |
输入类型 | DC |
输出类型 | 晶体管 |
输出设备 | NPN Phototransistor |
通道数 | 1 |