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Datasheet下载- 型号： PC357N4J000F
- 制造商： Sharp Microelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PC357N4J000F由Sharp Microelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PC357N4J000F价格参考￥1.21-￥2.22。Sharp MicroelectronicsPC357N4J000F封装/规格：光隔离器 - 晶体管，光电输出， 光隔离器 晶体管 输出 3750Vrms 1 通道 4-Mini-Flat。您可以下载PC357N4J000F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PC357N4J000F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PC357N4J000F是由SHARP/Socle Technology制造的一款光隔离器，属于晶体管光电输出类型。该型号的光隔离器主要用于工业自动化、通信设备、医疗仪器以及消费电子产品中，以实现电气隔离和信号传输。 应用场景： 1. 工业自动化控制： - 在工厂自动化系统中，PC357N4J000F可以用于PLC（可编程逻辑控制器）与传感器或执行器之间的信号隔离。它能够有效防止电磁干扰和高电压对控制系统的影响，确保信号的稳定性和可靠性。 2. 通信设备： - 该光隔离器适用于通信设备中的数据传输部分，特别是在需要长距离传输或存在高压差的场合。它可以保护敏感的电子元件免受瞬态电压和噪声的损害，保证通信链路的正常运行。 3. 医疗仪器： - 医疗设备如心电图机、监护仪等，对电气安全要求极高。PC357N4J000F可以用于这些设备的输入输出接口，确保患者和操作人员的安全，同时提供可靠的信号传输。 4. 消费电子产品： - 在一些高端消费电子产品中，如音频设备、智能家居控制器等，PC357N4J000F可用于隔离电源和信号路径，减少噪声干扰，提高产品的性能和用户体验。 5. 电力监控系统： - 在电力监控系统中，光隔离器用于电流互感器、电压互感器等传感器与监控单元之间的信号隔离，确保数据采集的准确性和安全性。 6. 汽车电子： - 汽车电子系统中，PC357N4J000F可以用于发动机控制单元（ECU）、车身控制模块（BCM）等部件之间的信号隔离，确保车辆电气系统的稳定性和安全性。 性能特点： - 高隔离电压：能够承受较高的电压差，确保不同电路之间的电气隔离。 - 快速响应时间：具备快速的信号传输能力，适用于高速数据传输场景。 - 低功耗：工作时消耗的功率较低，有助于延长设备的使用寿命。 - 小型化设计：体积小巧，便于集成到各种紧凑型设备中。 总之，PC357N4J000F凭借其优异的电气隔离性能和可靠的工作特性，在多个领域中得到了广泛应用，为各类电子设备提供了有效的保护和稳定的信号传输。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT晶体管输出光电耦合器 300-600% CTR ranked PC357NJ0000F |
| 产品分类 | 光隔离器 - 晶体管，光电输出集成电路 - IC |
| 品牌 | Sharp Microelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Sharp Microelectronics PC357N4J000F- |
| 数据手册 | http://www.sharpsma.com/webfm_send/1079 |
| 产品型号 | PC357N4J000F |
| PCN设计/规格 | http://www.sharpsma.com/download/PCN-2013-0905-01pdf |
| Vce饱和值（最大值） | 200mV |
| 上升/下降时间（典型值） | 4µs， 3µs |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 |
| 供应商器件封装 | 4-Mini-Flat |
| 其它名称 | 425-2093-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Sharp Microelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-SMD，鸥翼型 |
| 封装/箱体 | SOP-4 |
| 工作温度 | -30°C ~ 100°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 打开/关闭时间（典型值） | - |
| 最大上升时间 | 18 us |
| 最大下降时间 | 18 us |
| 最大功率耗散 | 170 mW |
| 最大反向二极管电压 | 6 V |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.4 V |
| 最大输入二极管电流 | 50 mA |
| 最大集电极/发射极电压 | 80 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.2 V |
| 最大集电极电流 | 50 mA |
| 最小工作温度 | - 30 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电流 | 5 mA |
| 每芯片的通道数量 | 1 Channel |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.2V |
| 电压-输出（最大值） | 80V |
| 电压-隔离 | 3750Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 50mA |
| 电流-输出/通道 | 50mA |
| 电流传输比（最大值） | 600% @ 5mA |
| 电流传输比（最小值） | 300% @ 5mA |
| 电流传递比 | 600 % |
| 绝缘电压 | 3750 Vrms |
| 输入类型 | DC |
| 输出类型 | 晶体管 |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 通道数 | 1 |
| 配置 | 1 Channel |
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