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  • 型号: PBSS9110Z,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS9110Z,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS9110Z,135价格参考¥0.53-¥0.53。NXP SemiconductorsPBSS9110Z,135封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 100V 1A 100MHz 1.4W 表面贴装 SOT-223。您可以下载PBSS9110Z,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS9110Z,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 PBSS9110Z,135 是一款双极晶体管 (BJT),具体为单个 NPN 类型。这款晶体管在多种应用场景中表现出色,尤其是在需要高效、可靠和低功耗性能的电路设计中。

 主要应用场景:

1. 电源管理:
   - 线性稳压器:PBSS9110Z,135 可用于线性稳压器中的调整管,帮助维持输出电压的稳定。其低饱和电压(Vce(sat))特性使其在低压降应用中表现优异。
   - 开关电源:虽然 BJT 不如 MOSFET 在高频开关应用中常见,但在某些低频或辅助电源电路中,它仍然可以发挥重要作用。

2. 信号放大:
   - 音频放大器:该晶体管适用于小型音频放大器,尤其是那些需要高增益和低噪声的应用。它的电流增益(hFE)较高,能够提供足够的放大倍数。
   - 传感器信号调理:在传感器信号调理电路中,PBSS9110Z,135 可以用作前置放大器,放大微弱的传感器信号,以便后续处理。

3. 驱动电路:
   - 继电器驱动:在需要驱动继电器或其他小功率负载时,该晶体管可以作为开关元件,通过控制基极电流来实现对负载的有效控制。
   - LED 驱动:它可以用于驱动 LED,尤其是在需要精确电流控制的应用中,如背光显示、指示灯等。

4. 保护电路:
   - 过流保护:在一些电源或负载电路中,PBSS9110Z,135 可以用于检测和限制过大的电流,防止损坏其他敏感元件。
   - 温度补偿:由于其温度系数较为稳定,该晶体管还可以用于温度补偿电路,确保系统在不同环境温度下的稳定性。

 总结:
PBSS9110Z,135 晶体管凭借其低饱和电压、高电流增益和良好的热稳定性,广泛应用于电源管理、信号放大、驱动电路和保护电路等领域。它特别适合于那些对效率、可靠性和成本有较高要求的小功率应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 100V 1A SOT223两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-13

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS9110Z,135-

数据手册

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产品型号

PBSS9110Z,135

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

320mV @ 100mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

150 @ 500mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-6798-2
934057978135
PBSS9110Z /T3
PBSS9110Z /T3-ND
PBSS9110Z,135-ND
PBSS9110Z135

功率-最大值

1.4W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SC-73

工厂包装数量

4000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1400 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

4,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流电流增益hFE最大值

150 at 1 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

150 at 1 mA at 5 V, 150 at 250 mA at 5 V, 150 at 500 mA at 5 V, 125 at 1 A at 5 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

120 V

零件号别名

/T3 PBSS9110Z

频率-跃迁

100MHz

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