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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS8110T,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS8110T,215价格参考。NXP SemiconductorsPBSS8110T,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS8110T,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS8110T,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PBSS8110T,215 的晶体管属于双极型晶体管(BJT)- 单一类别,其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 开关应用 - 该型号的 BJT 晶体管常用于开关电路中,作为电子开关控制其他设备的通断。例如,在电源管理、继电器驱动和电机控制等场景中,PBSS8110T,215 可以高效地实现电流的导通和截止。 2. 信号放大 - 在音频设备、传感器信号处理和其他需要低噪声放大的应用中,PBSS8110T,215 能够提供稳定的信号增益。它适合用于小信号放大器的设计,确保输出信号的质量和稳定性。 3. 电源管理 - 该晶体管可用于线性稳压器或直流-直流转换器的辅助电路中,帮助调节电压和电流,确保系统的稳定运行。其特性使其在低功耗和高效能的电源设计中表现优异。 4. 消费电子产品 - PBSS8110T,215 广泛应用于各种消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、家用电器和音响设备。它能够满足这些设备对小型化、高可靠性和低功耗的需求。 5. 工业控制 - 在工业自动化领域,该晶体管可用于驱动小型步进电机、电磁阀或其他执行机构。其耐用性和稳定性使其能够在严苛的工业环境中长期工作。 6. 通信设备 - 在通信模块中,PBSS8110T,215 可用于射频前端电路、信号调制解调以及功率控制等环节,支持高效的通信信号处理。 总结 PBSS8110T,215 是一款性能可靠的单通道双极型晶体管,适用于多种电子电路设计。其主要特点包括高电流增益、低饱和电压和出色的热稳定性,非常适合需要精确控制和高效放大的应用场景。无论是消费级产品还是工业级设备,这款晶体管都能提供稳定且高效的性能支持。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 100V 1A SOT23两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS8110T,215- |
数据手册 | |
产品型号 | PBSS8110T,215 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 100mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 150 @ 250mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-4344-6 |
功率-最大值 | 480mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | TO-236AB |
工具箱 | /product-detail/zh/3806620/NXPBISS1-KIT-ND/1841807 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 480 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流电流增益hFE最大值 | 150 at 1 mA at 10 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 at 1 mA at 10 V, 150 at 250 mA at 10 V, 100 at 0.5 A at 10 V, 80 at 1 A at 10 V |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
集电极—基极电压VCBO | 120 V |
零件号别名 | PBSS8110T T/R |
频率-跃迁 | 100MHz |