ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > PBSS5540Z,115
Datasheet下载- 型号： PBSS5540Z,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5540Z,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5540Z,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5540Z,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 5A 120MHz 2W 表面贴装 SOT-223。您可以下载PBSS5540Z,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5540Z,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PBSS5540Z,115 是一款单通道双极型晶体管 (BJT)，广泛应用于各种电子设备中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 PBSS5540Z,115 可用于电源管理系统中的开关和调节功能。它能够在低电压环境下高效工作，适用于便携式设备、消费电子和工业控制等领域的电源转换和稳压电路。其低饱和电压（Vce(sat)）特性使其在开关应用中具有较高的能效。 2. 信号放大 该晶体管适用于模拟信号放大电路。它可以用于音频设备、传感器信号调理电路以及通信系统中的小信号放大。由于其良好的线性度和频率响应，PBSS5540Z,115 能够提供稳定的信号放大效果，确保信号不失真。 3. 驱动电路 在需要驱动小型电机、继电器或其他低功率负载的应用中，PBSS5540Z,115 可以作为驱动元件。它能够承受一定的电流负载，并且具有较快的开关速度，适合用于脉宽调制 (PWM) 控制等场景，如LED驱动、步进电机控制等。 4. 保护电路 该晶体管可以用于过流保护、短路保护等电路设计。通过合理的外围电路设计，PBSS5540Z,115 可以检测到异常电流并迅速切断电路，从而保护其他敏感元件免受损坏。 5. 温度传感与补偿 BJT 晶体管的基极-发射极电压（Vbe）随温度变化而变化，因此 PBSS5540Z,115 可用于温度传感电路或温度补偿电路中。它可以通过监测 Vbe 的变化来间接测量温度，或用于补偿其他元件的温度漂移。 6. 逻辑电平转换 在不同逻辑电平之间进行转换时，PBSS5540Z,115 可以作为一个简单的电平转换器。例如，在微控制器与外部接口之间的通信中，它可以将低电平信号转换为高电平信号，或者反之。 总之，PBSS5540Z,115 以其优异的性能和广泛的适用性，成为许多电子设计中的理想选择，尤其是在需要高效、稳定和可靠工作的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 40V 5A SOT223两极晶体管 - BJT PNP 40V 5A LO VCESAT |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5540Z,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5540Z,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 160mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 2A，2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=9367 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-4172-2 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SC-73 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 at 500 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 at 500 mA at 2 V, 200 at 1 A at 2 V, 150 at 2 A at 2 V, 50 at 5 A at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 零件号别名 | PBSS5540Z T/R |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
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