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PBSS5520X,135产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5520X,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5520X,135价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5520X,135封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 20V 5A 100MHz 1.6W 表面贴装 SOT-89。您可以下载PBSS5520X,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5520X,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PNP 20V 5A SOT89两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-13 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5520X,135- |
数据手册 | |
产品型号 | PBSS5520X,135 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 270mV @ 500mA,5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 250 @ 2A,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-89-3 |
其它名称 | 568-6776-2 |
功率-最大值 | 1.6W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-243AA |
封装/箱体 | SOT-89-4 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 360 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | - 10 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 4,000 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流电流增益hFE最大值 | 300 at 0.5 A at 2 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
集电极—基极电压VCBO | 20 V |
集电极连续电流 | - 5 A |
零件号别名 | /T3 PBSS5520X |
频率-跃迁 | 100MHz |