Datasheet下载- 型号： PBSS5260PAP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5260PAP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5260PAP,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5260PAP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS5260PAP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5260PAP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PBSS5260PAP,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列，主要用于以下应用场景： 1. 电源管理 - 开关应用：该型号适用于电源管理中的开关电路。其双极晶体管阵列设计可以实现高效的电流控制和切换。 - 稳压器：在需要稳定电压输出的场景中，PBSS5260PAP,115 可用于辅助调节电压，确保设备运行在安全范围内。 2. 信号放大 - 音频设备：可用于音频信号放大，支持低失真、高保真的声音输出，适合小型音频设备或模块。 - 传感器信号处理：能够对微弱的传感器信号进行放大，提高信号的质量和可靠性。 3. 驱动电路 - LED 驱动：适用于 LED 照明系统的驱动电路，提供精确的电流控制，确保 LED 的亮度和稳定性。 - 电机驱动：可作为小型直流电机驱动电路的一部分，控制电机的启动、停止和速度调节。 4. 保护电路 - 过流保护：利用 BJT 的特性，检测并限制过大的电流，保护下游电路免受损坏。 - 短路保护：在发生短路时快速切断电流路径，避免设备烧毁。 5. 消费电子 - 家用电器：如遥控器、智能家居设备等，用于控制和调节功能。 - 便携式设备：如电子玩具、手持设备等，提供高效、紧凑的电路解决方案。 6. 工业应用 - 自动化控制：在工业自动化领域中，可用于信号传输和控制逻辑电路。 - 数据通信：支持低功耗的数据传输模块，提升通信效率。 PBSS5260PAP,115 的双极晶体管阵列设计使其具有良好的电流增益和开关性能，适用于多种低功耗、高性能的应用场景。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路配置。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 60V 2A 6HUSON两极晶体管 - BJT 60V 2A PNP/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5260PAP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5260PAP,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 110 @ 1A， 2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10209-6 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 170 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 100 mV |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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