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Datasheet下载- 型号： PBSS5220V,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PBSS5220V,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5220V,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5220V,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5220V,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 20V 2A 185MHz 900mW 表面贴装 SOT-666。您可以下载PBSS5220V,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5220V,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 20V 2A LOW SAT SOT666两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5220V,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5220V,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 390mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 155 @ 1A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7311-2 |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 185 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SS-Mini |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 900 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 220 at 1 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 220 at 1 mA at 2 V, 220 at 100 mA at 2 V, 220 at 500 mA at 2 V, 155 at 1 A at 2 V, 60 at 2 A at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 20 V |
| 零件号别名 | PBSS5220V T/R |
| 频率-跃迁 | 185MHz |
