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Datasheet下载- 型号： PBSS5160T,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5160T,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5160T,215价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5160T,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 60V 1A 220MHz 400mW 表面贴装 TO-236AB（SOT23）。您可以下载PBSS5160T,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5160T,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PBSS5160T,215 是一款单个双极晶体管 (BJT)，广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理：PBSS5160T,215 可用于开关电源、线性稳压器等电源管理电路中，作为开关元件或电流放大器。它能够高效地控制电流流动，确保电源系统的稳定性和可靠性。 2. 信号放大：在音频设备、通信系统和其他需要信号放大的应用中，这款 BJT 可以用作前置放大器或功率放大器的关键组件。其高增益特性使得它可以有效地放大微弱信号，同时保持低噪声水平。 3. 电机驱动：在小型电机控制系统中，如步进电机、直流电机等，PBSS5160T,215 可以用来驱动电机绕组，实现精确的速度和位置控制。它能够承受较大的电流波动，确保电机运行平稳。 4. 保护电路：在过流保护、短路保护等安全电路中，该晶体管可以用作检测和响应元件。当检测到异常电流时，它可以迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件。 5. 逻辑电平转换：在不同电压电平之间的接口电路中，PBSS5160T,215 可以用于电平转换，确保信号传输的准确性和稳定性。例如，在低电压微控制器与高电压外围设备之间进行通信时，它可以帮助匹配不同的工作电压。 6. 温度传感器：由于其温度特性，该晶体管还可以用作简单的温度传感器。通过监测其基极-发射极电压随温度的变化，可以实现对环境温度的粗略测量。 总之，PBSS5160T,215 凭借其出色的性能和可靠性，适用于多种电子设备和电路设计，特别是在需要高效电流控制和信号处理的应用场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 60V 1A SOT23两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5160T,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5160T,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 330mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 500mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-4347-1 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 220 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/3806620/NXPBISS1-KIT-ND/1841807 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 270 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 2 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 零件号别名 | PBSS5160T T/R |
| 频率-跃迁 | 220MHz |
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