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  • 型号: PBSS4350SS,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBSS4350SS,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4350SS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4350SS,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4350SS,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 2.7A 2W Surface Mount 8-SO。您可以下载PBSS4350SS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4350SS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DUAL NPN 50V 2.7A 8SO两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4350SS,115-

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产品型号

PBSS4350SS,115

PCN组件/产地

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

340mV @ 270mA,2.7A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

300 @ 1A,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

8-SO

其它名称

568-7302-6

功率-最大值

2W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

2000 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2.7 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2.7A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流电流增益hFE最大值

300 at 100 mA at 2 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

300 at 100 mA at 2 V, 300 at 500 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 200 at 2 A at 2 V, 120 at 2.7 A at 2 V

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

零件号别名

PBSS4350SS T/R

频率-跃迁

-

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