Datasheet下载- 型号： PBSS4260PAN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4260PAN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4260PAN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4260PAN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS4260PAN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4260PAN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PBSS4260PAN,115 的双极晶体管 (BJT) 阵列，是一种高性能、小型化的半导体器件。它适用于多种电子电路设计场景，尤其是在需要多路信号切换、放大或驱动的应用中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 信号切换与控制 - PBSS4260PAN,115 可用于多路信号切换，例如音频、视频或数据信号的切换。其 BJT 阵列结构允许同时控制多个通道，适合复杂的开关矩阵设计。 - 应用实例：消费电子设备中的信号路由、通信系统中的多路复用器。 2. 功率放大与驱动 - 该器件可作为小信号放大器或功率驱动器，用于驱动低功耗负载（如 LED、小型继电器或电机）。 - 应用实例：LED 显示屏驱动、小型步进电机控制、传感器信号放大。 3. 电源管理 - 在电源管理电路中，PBSS4260PAN,115 可用于电流限制、过流保护或电压调节等功能。 - 应用实例：便携式设备的电池保护电路、低压差线性稳压器 (LDO) 辅助电路。 4. 工业自动化与控制 - 该 BJT 阵列可用于工业控制中的信号隔离和驱动，例如 PLC（可编程逻辑控制器）输入/输出模块。 - 应用实例：传感器信号处理、工业机器人中的信号传输。 5. 汽车电子 - 在汽车电子领域，PBSS4260PAN,115 可用于车载娱乐系统、仪表盘显示、车灯控制等应用。 - 应用实例：车内氛围灯控制、音响系统的音量调节。 6. 通信设备 - 由于其高可靠性和稳定性，该器件适用于通信设备中的信号调制与解调、频率转换等场景。 - 应用实例：无线通信模块中的信号放大、射频前端电路。 总结 PBSS4260PAN,115 的主要优势在于其紧凑的设计、高集成度以及优异的电气性能，能够满足消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等多种领域的应用需求。具体使用时需根据实际电路要求选择合适的偏置条件和外围元件配置，以确保最佳性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 60V 2A 6HUSON两极晶体管 - BJT 60V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4260PAN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4260PAN,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 90mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10203-2 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 430 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 290 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 70 mV |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
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