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型号： PBSS4230PAN,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PBSS4230PAN,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4230PAN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4230PAN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4230PAN,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 30V 2A 120MHz 510mW 表面贴装 6-HUSON-EP（2x2）。您可以下载PBSS4230PAN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4230PAN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS DUAL NPN 30V 2A 6HUSON两极晶体管 - BJT 30V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4230PAN,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PBSS4230PAN,115
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	290mV @ 200mA，2A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	200 @ 1A，2V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	6-HUSON（2X2）
其它名称	568-10201-6
功率-最大值	510mW
包装	Digi-Reel®
发射极-基极电压VEBO	7 V
商标	NXP Semiconductors
增益带宽产品fT	120 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘
封装/箱体	DFN2020-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	-
最大功率耗散	1450 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	3 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
特色产品	http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762
电压-集射极击穿（最大值）	30V
电流-集电极(Ic)（最大值）	2A
电流-集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
直流电流增益hFE最大值	380
直流集电极/BaseGainhfeMin	250
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	30 V
集电极—基极电压VCBO	30 V
集电极—射极饱和电压	60 mV
集电极连续电流	2 A
频率-跃迁	120MHz