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  • 型号: PBSS4160PAN,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4160PAN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4160PAN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4160PAN,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS4160PAN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4160PAN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL NPN 60V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 60V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4160PAN,115-

数据手册

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产品型号

PBSS4160PAN,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

120mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

150 @ 500mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-HUSON(2X2)

其它名称

568-10199-1

功率-最大值

510mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

175 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-UDFN 裸露焊盘

封装/箱体

DFN2020-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

1450 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

430

直流集电极/BaseGainhfeMin

290

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极—射极饱和电压

90 mV

集电极连续电流

1 A

频率-跃迁

175MHz

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