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Datasheet下载- 型号： PBSS4160DS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PBSS4160DS,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4160DS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4160DS,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4160DS,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 220MHz 420mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBSS4160DS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4160DS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 60V 1A 6TSOP两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4160DS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4160DS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-4350-6 |
| 功率-最大值 | 420mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 220 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/3806620/NXPBISS1-KIT-ND/1841807 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 290 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 零件号别名 | PBSS4160DS T/R |
| 频率-跃迁 | 220MHz |
