ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > PBSS4160DS,115
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PBSS4160DS,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4160DS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4160DS,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4160DS,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 220MHz 420mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBSS4160DS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4160DS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的型号为PBSS4160DS,115的晶体管属于双极型晶体管(BJT)阵列,主要用于以下应用场景: 1. 开关电路 - PBSS4160DS,115可以作为高效的开关元件,在数字电路中用于控制信号的通断。例如,在电源管理、负载切换和信号路由等场景中,该器件能够快速响应并实现低功耗开关功能。 2. 信号放大 - 在音频设备、传感器信号处理等领域,该晶体管可用于信号放大。它能够将微弱的输入信号增强到所需的幅度,适用于小型音频放大器或前置放大器设计。 3. 驱动应用 - 该型号适合驱动小型负载,如LED、继电器线圈或小型电机。其阵列结构允许同时控制多个输出通道,从而简化多路驱动电路的设计。 4. 保护电路 - 在过流保护、短路保护或浪涌抑制电路中,PBSS4160DS,115可以用作关键的保护元件。通过设置适当的阈值,它可以有效防止异常电流对系统造成损害。 5. 消费电子与嵌入式系统 - 该晶体管广泛应用于消费电子产品(如遥控器、玩具、智能家居设备)和嵌入式系统中,提供可靠且经济高效的解决方案。 6. 便携式设备 - 由于其低功耗特性和紧凑封装,PBSS4160DS,115非常适合用于电池供电的便携式设备,如手持终端、健康监测设备等。 总之,PBSS4160DS,115凭借其高性能、小尺寸和低成本优势,成为许多低功率、多通道应用的理想选择。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路配置。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS DUAL NPN 60V 1A 6TSOP两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4160DS,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PBSS4160DS,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 100mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | 568-4350-6 |
功率-最大值 | 420mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 220 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SC-74-6 |
工具箱 | /product-detail/zh/3806620/NXPBISS1-KIT-ND/1841807 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
最大功率耗散 | 290 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 2 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流电流增益hFE最大值 | 250 at 1 mA at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
集电极连续电流 | 1 A |
零件号别名 | PBSS4160DS T/R |
频率-跃迁 | 220MHz |