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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4160DPN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4160DPN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4160DPN,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 870mA, 770mA 220MHz, 185MHz 420mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBSS4160DPN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4160DPN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN/PNP 60V 6TSOP LOW SAT两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4160DPN,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PBSS4160DPN,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 100mA,1A / 330mV @ 100mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,5V / 150 @ 500mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | 568-4352-6 |
功率-最大值 | 420mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 185 MHz, 220 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SC-74-6 |
工具箱 | /product-detail/zh/3806620/NXPBISS1-KIT-ND/1841807 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 290 mW, 420 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | +/- 2 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 870mA,770mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流电流增益hFE最大值 | 250 at 1 mA at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
集电极连续电流 | 1 A, - 900 mA |
零件号别名 | PBSS4160DPN T/R |
频率-跃迁 | 220MHz,185MHz |