ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > PBSS4041SPN,115
Datasheet下载- 型号： PBSS4041SPN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4041SPN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4041SPN,115价格参考￥3.00-￥3.31。NXP SemiconductorsPBSS4041SPN,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 6.7A, 5.9A 130MHz, 110MHz 2.3W Surface Mount 8-SO。您可以下载PBSS4041SPN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4041SPN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 60V 6.7A/5.9A 8SO两极晶体管 - BJT Dual +/-60V +6.7A -5.9A 0.73W 130MHz |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4041SPN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4041SPN,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 350mV @ 350mA，7A / 275mV @ 400mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 4A，2V / 150 @ 2A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-6407-1 |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | + 5 V, - 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 0.73 W |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6.7A，5.9A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V, + 60 V |
| 集电极连续电流 | + 6.7 A, - 5.9 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz，110MHz |
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